اینتل ممکن است تا سال ۲۰۲۵ در فناوری لیتوگرافی پیشتاز شود
اینتل در‌حال‌حاضر برنامه‌های خود را برای توسعه‌ی موفقیت‌آمیز پنج گره در طول چهار سال پیش می‌برد. این برنامه‌ها شامل فرایند 18A است که حرف A در آن به‌معنای «آنگستروم» است (هر آنگستروم برابر با ۰٫۱ نانومتر است) و گاهی اوقات فرایند Accelerated اینتل نیز نامیده می‌شود.
به‌گزارش Tomshardware، اسکاتن جونز، مدیرعامل و مالک IC Knowledge، در ابتدا درباره‌ی برنامه‌ی جاه‌طلبانه‌ی نیمه‌هادی‌های اینتل تردیدهایی داشت؛ اما حالا بهنظر می‌رسد دیدگاهش تغییر کرده است.
جونز در مقالهی اخیرش به برنامه‌های اینتل برای بازپس‌گیری رهبری در حوزه‌ی فناوری تا سال ۲۰۲۵ اشاره می‌کند. او تا همین اواخر نیز معتقد بود که اینتل هیچ‌گاه نمی‌تواند به رقیبی برای TSMC تبدیل شود؛ بااین‌حال، ترکیبی از رویدادهای اخیر و نقشهراه بازطراحی‌شده‌ی اینتل، باعث شد تا نظر جونز تغییر کند.
پت گلسینگر، مدیرعامل اینتل، برنامه‌های جاه‌طلبانه‌ای برای اینتل در سر دارد؛ برنامه‌هایی که روی کاغذ آسان بهنظر می‌رسند؛ اما اجرای آن‌ها موضوعی متفاوت است. اینتل در جشن افتتاحیه فب ۳ میلیارد دلاری خود در اورگان، فایلی از نقشهراه خود ارائه کرد که حاوی تغییر ظریفی در نقشهراه قبلی بود. در نقشهراه جدید، زمان راه‌اندازی پیشرفته‌ترین فرایند 18A به‌جای سال ۲۰۲۵، سال ۲۰۲۴ اعلام شده بود و همین امر توجه جونز را به خود جلب کرد.
جونز در تحلیل خود ابتدا به سابقه‌ی فعالیت‌ها و پیشرفت‌های اینتل و چگونگی از‌دست‌دادن رهبری در حوزه‌ی فناوری و فرایند ساخت این شرکت اشاره می‌کند و سپس به نقشهراه تیم آبی تا سال ۲۰۲۵ می‌پردازد.
جونز معتقد است در چند سال آینده، رقابتی بین اینتل و TSMC و سامسونگ شکل می‌گیرد که تغییرات عمده‌ای در عملکرد آن‌ها ایجاد می‌کند. این تغییرات بزرگ ممکن است تأثیرات نامطلوبی بر نقشهراه اینتل بگذارند؛ اما در‌عین‌حال برای برتری رقابتی تیم آبی ضروری بهنظر می‌رسند.
اینتل از سال ۲۰۲۲ تا ۲۰۲۵ استفاده از فرایند EUV (لیتوگرافی با اشعه‌ی ماوراءبنفش) را افزایش خواهد داد و هم‌زمان فناوری نانوشیت افقی (HNS) خود را معرفی و فناوری RibbonFET را راه‌اندازی خواهد کرد. علاوه‌بر‌این، در این مدت به‌کمک فناوری PowerVia، انتقال برق را بهینه‌سازی می‌کند و فرایند 18A خود را گسترش می‌دهد.
جونز با نگاهی به برنامه‌های TSMC در همین بازه، معتقد است که لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC در سال ۲۰۲۳ دردسترس قرار خواهد گرفت و درابتدا نیز برای تولید آیفون‌های اپل استفاده خواهد شد. هنوز تاریخ مشخصی برای رونمایی نقشهراه لیتوگرافی ۲ نانومتری TSMC مشخص نشده است و امکان دارد این شرکت نیز برای ترانزیستورهای پرچم‌دار خود از فناوری نانوشیت افقی (HNS) استفاده کند.
جونز در‌ادامه‌ی مقالهی خود درباره‌ی ظرفیت سامسونگ برای پیشرفت در دوره‌ی منتهی به سال ۲۰۲۵ نیز صحبت می‌کند. سامسونگ اخیراً با تأخیر بازده رو‌به‌رو بوده است که می‌تواند به مشکلاتی در مراحل اولیه‌ی راه‌اندازی فناوری نانوشیت افقی (HNS) ربط داشته باشد. این شرکت اولین شرکتی است که از فناوری ترانزیستور GAA استفاده کرده است و در‌صورتی‌که موانع موجود را از سر راه خود بردارد، می‌تواند در سال‌های پیش‌ِ رو، مسیری هموار‌تر از رقبا را طی کند.
اینتل در مسیری رو‌به‌رشد
جونز بر این باور است که TSMC در سال ۲۰۲۵، همچنان درزمینه‌ی تولید انبوه پیشتاز خواهد بود؛ اما باید توجه کرد که کیفیت عملکرد نقش مهم‌تری در تصمیم‌گیری مشتریان ایفا می‌کند. او درباره‌ی کارآمدی اینتل در مقالهی خود این‌گونه نوشت:
اینتل در شرایطی که فاندری‌ها با مشکلات دست‌و‌پنجه نرم می‌کردند، توانست به‌طور چشمگیری توسعه‌ی فرایند تولید خود را تسریع بخشد.
طبق پیش‌بینی جونز، مراحل ابتدایی پیشرفت اینتل در سال ۲۰۲۳ شروع شده است و تا سال ۲۰۲۴ تثبیت خواهد شد. این شرکت راه‌اندازی فرایند 18A خود را در نقشه‌ی راه جدید برای نیمه‌ی دوم سال ۲۰۲۴ برنامه‌ریزی کرده و در این مدت نیز، ممکن است اتفاقات پیش‌بینی‌نشده‌ی زیادی رخ دهد؛ اما در‌هر‌صورت رقابت پر‌شور بین شرکت‌هایی مانند اینتل و TSMC و سامسونگ می‌تواند بسیار سازنده باشد.
