TSMC تولید تراشه‌های مبتنی‌بر نود پیشرفته‌ی سهنانومتری خود را سه ماه زودتر آغاز خواهد کرد
TSMC و سامسونگ، تنها شرکت‌هایی هستند که به تولید تراشه‌های مبتنی‌بر فرایند سهنانومتری نزدیک شده‌اند. TSMC تصمیم گرفته است از ترانزیستورهای FinFET در فرایند سهنانومتری خود استفاده کند و سامسونگ نیز قصد دارد در این زمینه از معماری GAA (Gate all around) بهره ببرد. به‌گفته‌ی وب‌سایت Wccftech، مورگان استنلی اعلام کرده است که شرکت TSMC برنامه‌های خود را برای تولید تراشه‌های سهنانومتری سه ماه جلو انداخته است.
به‌گزارش فون‌آرنا، مورگان استنلی می‌گوید که بازده تولید نسخه‌ی پیشرفته‌ی فرایند سهنانومتری TSMC موسوم به N3e بیش از انتظارات بوده است و امکان دارد این شرکت زودتر از برنامه‌ریزی‌های انجام شده، از این فرایند استفاده کند. بخشی از این گزارش را کاربری به نام RetiredEngineer در توییتر منتشر کرده است. وی با‌‌توجه‌‌‌به گزارش مورگان استنلی، اعلام کرده است که تولید انبوه تراشه‌های مبتنی‌بر فرایند سهنانومتری (N3e) شرکت TSMC احتمالاً به‌جای سه‌ماهه‌ی سوم از سه‌ماهه‌ی دوم سال جاری میلادی آغاز خواهد شد.
طبق گزارش مورگان استنلی، چگالی منطقی فرایند سهنانومتری پیشرفته‌ی TSMC یعنی N3e تقریباً ۸ درصد کمتر از نسخه‌ی اصلی این فرایند و تعداد EUV آن نیز چهار لایه کمتر است. دستگاه EUV از پرتوهای فرابنفش برای کمک به ایجاد الگوهای مدار روی ویفرها بهره می‌برد. با‌‌توجه‌‌‌به تعداد ترانزیستورهایی که امروزه در داخل یک تراشه قرار می‌گیرند، این الگوهای مداری باید مثل پرتوهایی که آن‌ها را ایجاد می‌کنند، بسیار باریک باشند.
در ابتدا رسانه‌های تایوانی بازده تراشه‌های سهنانومتری TSMC را به‌عنوان یک شایعه اعلام کردند. این یعنی تعداد تراشه‌های روی ویفری که موفق نشده‌اند کنترل کیفیت را بگذرانند، بسیار زیاد بوده است. در یکی از این گزارش‌ها، به شایعه‌ای اشاره شده است که اعلام می‌کند برخی از مشتریان TSMC تصمیم گرفته‌اند به‌دلیل بازدهی اندک در تراشه‌های سهنانومتری، به تراشه‌های مبتنی‌بر فرایند پنج نانومتری روی بیاورند.
جلوتربردن برنامه‌ی زمانی تولید تراشه‌های مبتنی‌بر فرایند سهنانومتری پیشرفته‌ی N3e هیچ تأثیری روی تولید تراشه‌های مبتنی‌بر فرایند سهنانومتری اصلی این شرکت (N3) نخواهد گذاشت. انتظار می‌رود TSMC تولید تراشه‌های سهنانومتری را از سه‌ماهه‌ی سوم سال جاری آغاز کند و عرضه‌ی این تراشه‌ها به مشتریان از سه‌ماهه‌ی اول ۲۰۲۳ شروع خواهد شد. البته انتظار نداریم محصولاتی که از پردازنده‌های ساخته‌شده برپایه‌ی فناوری N3 یا N3e شرکت TSMC یا گره 3GAE سامسونگ بهره خواهند برد، تا سه‌ماهه‌ی سوم یا چهارم ۲۰۲۳ به بازار عرضه شوند.
دکتر C.C، مدیر اجرایی TSMC، در کنفرانس تلفنی اخیرش گفت که عملکرد و قدرت و بازدهی در فرایند N3e درمقایسهبا N3 بهبود یافته است. درحالی‌که TSMC همچنان برترین کارخانه‌ی تراشه‌ساز جهان است، رقیب اصلی این شرکت با مشکلاتی مواجه شده است. طبق گزارش‌های اخیر، تحقیقات درباره‌ی تقلب در واحد تراشه‌سازی سامسونگ آغاز شده است؛ زیرا برخی از کارمندان این شرکت در رسانه‌های کره‌ای به اغراق درباره‌ی بازده تراشه‌های پنج‌‌نانومتری متهم شده است.
دلیل اغراق در بازدهی فرایند چهارنانومتری سامسونگ این بود تا همه‌چیز درباره‌ی این شرکت خوب به‌نظر برسد؛ اما سرمایه‌ای که قرار بود برای بهبود عملکرد واحد تراشه‌سازی سامسونگ استفاده شود، از بین رفته است. به‌عنوان مثال، بازده گره چهارنانومتری غول فناوری کره‌ای درمقایسهبا بازدهی ۷۰ درصدی گره چهارنانومتری TSMC حدود ۳۵ درصد کمتر بود. اعدام و ارقام ناامید‌کننده‌ی بازدهی باعث شد کوالکام نیز موضعش را تغییر دهد و تولید نسل بعدی پردازنده‌های کاربردی (AP) پرچم‌دار خود (اسنپدراگون ۸ نسل دوم) را به‌جای سامسونگ به TSMC واگذار کند.
بازدهی کم می‌تواند به کمبود تراشه‌های خاص از یک شرکت تراشه‌ساز خاص منجر شود. ترکیب این مسئله با مشکل کمبود جهانی تراشه‌ها باعث ایجاد دردسرهایی در بخش رقابتی صنعت تراشه‌سازی خواهد شد. کوالکام به TSMC روی آورده است تا پردازنده‌های اسنپدراگون ۸۵۵ و ۸۵۵ پلاس را تولید کند؛ اما وظیفه‌ی ساخت اسنپدراگون ۸۶۵ و ۸۵۶ پلاس همچنان برعهده‌ی سامسونگ است.
سال گذشته نیز، سامسونگ اسنپدراگون ۸۸۸ را مثل اسنپدراگون ۸ نسل سال جاری تولید کرد. اکنون مسیر کوالکام به‌سمت دیگری تغییر کرده است که دلیل آن ضعف سامسونگ در زمینه‌ی تراشه‌سازی است. غول فناوری کره‌ای اکنون باید با رسوایی اغراق درباره‌ی نرخ بازدهی فرایند چهارنانومتری خود و سرمایه‌های هدررفته در این واحد از شرکت مقابله کند.
وقتی مشتری بزرگی مثل کوالکام نمی‌تواند به آمار و ارقام بازدهی سامسونگ درباره‌ی فرایندهای پردازشی پیشرفته اعتماد کند، تنها گزینه‌ی باقی‌مانده برای این شرکت، تغییر و روی‌آوردن به TSMC است.
