نخستین تراشه مشابه با نود ۷ نانومتری شرکت چینی SMIC مراحل پایانی طراحی را طی میکند
تشدید تنشهای تجاری بین ایالات متحده آمریکا و چین باعث شده است که غول ارتباطات مخابراتی چینی، شرکت Huawei Technologies، از دسترسی به آخرین فناوری نودهای پردازنده محروم شود و توانایی این شرکت برای رقابت در بازار گوشیهای هوشمند پرچمدار نیز تحتالشعاع قرار بگیرد و نتواند از پردازندههای قدرتمند در محصولاتش استفاده کند.
یکی از راههای جایگزین برای هواوی، کمکگرفتن از شرکت بینالمللی تولید نیمههادی چین (Semiconductor Manufacturing International Corporation) است که بهباور بسیاری از تحلیلگران، بعد از تحریمهای تازهی آمریکا علیه هواوی، تقریبا به یکی از همکاران مهم این شرکت مخابراتی تبدیل شده است. البته هنوز این موضوع در هالهای از ابهام قرار دارد؛ بهویژه اینکه که دولت آمریکا بهدلیل نگرانی از دستیابی ارتش چین به محصولاتی که برای هواوی صادر میکند، تحرکات شرکت را از نزدیک زیر نظر گرفته است.
با وجود تمام این محدودیتها، ظاهرا براساس گزارشهای اخیر، شرکت SMIC توانسته است آخرین مراحل تولید انبوه پردازندههای مشابه با نود ۷ نانومتری را آغاز کند. گزارش این دستاورد در روزنامهی منطقهی ویژهی جوهای (Zhuhai Special Zone) منتشر شده است که رویدادهای منطقهی ویژهی اقتصادی جوهای در چین و شرکت Innosilicon را پوشش میدهد.
طبق جزئیات منتشرشده، شرکت طراحی و تولید تراشهی چینی نخستین نمونهی Tape-out نود پردازشی N+1 شرکت SMIC را به مرحلهی نهایی طراحی رسانده است. نسخهی Tape-out منظور آخرین مرحله از فرایند طراحی تراشه قبل از تولید است که تصویر کلی از آخرین نقصهای طراحی را مشخص میکند.
جدیدترین نسل تراشههای تولیدشدهی SMIC برپایهی نودهای ۱۴ نانومتری ساخته میشوند و بنابر بیانیهی منتشرشدهی نمایندگان شرکت، احتمالا این شرکت قصد دارد از تولید تراشه با نودهای ۱۰ نانومتری کاملا صرفنظر کند.
مقالههای مرتبط:
نود N+1 بهطور گسترده تصور میشد که نمونهی اولیهای از تراشههای ۷ نانومتری باشد. درهرحال، این تراشه موجب افزایش ۲۰ درصدی عملکرد و کاهش ۵۷ درصدی مصرف انرژی میشود و سطح Logic تا ۶۳ درصد و SoC نیز تا ۵۵ درصد بهبود نشان میدهد. در مقام مقایسه، شرکت TSMC تراکم ترانزیستورها را در تراشههای ۷ نانومتری درمقایسهبا تراشههای ۱۰ نانومتری تا ۷۳ درصد افزایش داد و عملکرد پردازشی را بین ۳۵ تا ۴۰ درصد بهبود بخشید و درمقایسهبا تراشههای ۱۶ نانومتری، مصرف انرژی را تا ۶۵ درصد کاهش داد که رقمهای بسیار درخورتوجهی هستند.
بااینهمه باتوجهبه بهبود ۲۰ درصدی عملکرد، مدیران SMCI دربارهی طبقهبندی نود N+1 بهعنوان نود ۷ نانومتری تعلل کردند؛ درنتیجه، تحلیلگران چینی تراشه را در دستهی نودهای ۸ نانومتری یا نسخهی اولیه از تراشههای ۷ نانومتری با توان کمتر طبقهبندی کردند. شرکت SMIC قصد دارد بعد از N+1، نود N+2 را رونمایی کند که انتظار میرود بهدلیل بهبود عملکرد از N+1 گرانتر باشد.
شرکت Innosilicon در گزارش مطبوعاتی خود دربارهی همکاری با شرکت SMIC اطلاعاتی در میان گذاشته که نشان میدهد چگونه این همکاری باعث موفقیت در فرایند تولید شده است. افزونبراین، SMIC نمونهی اولیهی tape-out نود N+1 را کامل کرده است؛ اما تولید انبوه محصول مشکلات جدیدی بر سر راه شرکت ایجاد میکند که اگر قصد دارد در بازار جهانی بتواند رقابت کند، باید فورا آنها را مرتفع کند.
بزرگترین رقبای SMIC شرکت تایوانی TSMC و شرکت کرهای Samsung Electronic's Samsung Foundry بهشمار میروند. در نظر داشته باشید که این دو شرکت میتوانند نسل جدیدی از تکنیکهای لیتوگرافی Extreme Ultraviolent را در تولید تراشه بهکار گیرند و پیشبینی میشود SMIC این فناوری را در نودهای فرضیهای N+3 استفاده کند.
این نود سومین نسل از تراشههای ۷ نانومتری SMIC خواهد بود که تولید آن قدرت مهندسی و مدیریت شرکت را در بوتهی آزمایش قرار میدهد. ناگفته نماند که احتمال میرود N+3 نسخهی بهروزشدهای از N+2 باشد که تولیدش را SMIC بعد از دستیابی به آخرین نسل از ماشینهای شرکت هلندی ASML ممکن خواهد کرد.
ناگفته نماند رقبای شرکت چینی SMIC درحالحاضر محصولاتی با نودهای ۵ نانومتری تولید میکنند که تصور میشود نسلهای بعدی آن با محدودیت فیزیکی برای کاهش اندازه و افزایش تراکم ترانزیستورها روبهرو خواهند شد.