سامسونگ با ساخت تراشه‌های ۳ نانومتری، از اینتل و TSMC پیشی گرفته است
سامسونگ اوایل سال جاری میلادی گفت که تولید انبوه تراشه‌های کلاس سه نانومتری را بر پایه‌ی فناوری 3GAE شروع کرده است، اما نگفت که با استفاده از این فناوری سراغ تولید چه نوع تراشه‌ای رفته است. آن‌طور که تامز هاردور می‌نویسد، ظاهراً سامسونگ از 3GAE برای تولید تراشه‌ی ای‌سیک (مدار مجتمع با کاربرد خاص) به‌منظور استخراج رمزارز استفاده کرده است.
فناوری ساخت 3GAE سامسونگ اولین لیتوگرافی صنعت تراشه است که بر ترانزیستورهای جدید GAA اتکا می‌کند (سامسونگ نسخه‌ی اختصاصی خود از این ترانزیستورها را MBCFET می‌نامد). معماری GAA مقدار جریان نشتی را کاهش می‌دهد، چون گیتِ ترانزیستور در تمامی چهار طرفش توسط کانال پوشش داده می‌شود. این معماری دست‌کاری عملکرد ترانزیستور و مصرف انرژی آن را ازطریق تنظیم ضخامت کانال امکان‌پذیر می‌کند.
ترانزیستورهای GAAFET برای پردازش‌های سنگین و همچنین ساخت پردازنده‌های کلاس لپ تاپ بسیار مفیدند و به همین دلیل است که شرکت‌هایی مثل اینتل و TSMC سخت در تلاشند تا از این ترانزیستورها در سال ۲۰۲۴ یا ۲۰۲۵ استفاده کنند.
برخلاف آنچه تصور می‌شد، ظاهراً اولین تراشه‌ی تجاری مبتنی‌بر ترانزیستور GAAFET یک ای‌سیک رمزارز است. به ادعای یکی از تحلیلگران مؤسسه‌ی ترندفورس، سامسونگ از سال آینده از فناوری 3GAE برای تولید تراشه‌ی گوشی‌های هوشمند استفاده خواهد کرد.
تراشه‌های مربوط به استخراج رمزارز گزینه‌ی بسیار خوبی برای شروع استفاده از فناوری‌های تولیدی جدید به‌حساب می‌آیند، چون تراشه‌هایی نسبتاً ساده هستند و ساختارهای مشابه فراوانی دارند. این نوع طراحی باعث می‌شود که بتوان در تولید تراشه‌های موردبحث به بازدهی بالایی دست پیدا کرد.
در مقایسه، تراشه‌های موبایلی تعداد بسیار زیادی قطعات متفاوت دارند و این قطعات از ترانزیستورهای متفاوتی استفاده می‌کنند. سامسونگ ازطریق تولید تراشه‌ی ای‌سیک در تلاش است دانسته‌هایش درباره‌ی قدرت پردازشی و مصرف انرژی نود 3GAE را بیشتر کند. شرکت SMIC نیز برای آزمودن لیتوگرافی هفت نانومتری خود در ابتدا تراشه‌ی ای‌سیک تولید کرد.
سامسونگ به‌طور معمول زودتر از شرکت‌هایی مثل اینتل و TSMC به نودهای پردازشی جدید دست پیدا می‌کند، اما در بسیاری از مواقع، تراشه‌هایی که TSMC با نود مشابه می‌سازد سریع‌تر از تراشه‌های سامسونگ‌اند و بازدهی تولید آن‌ها بیشتر است. در گذر زمان تفاوت‌های بین تراشه‌ی سه نانومتری سامسونگ و TSMC را خواهیم دید.
سامسونگ به‌طور معمول اوایل سال میلادی جدید پردازنده‌ی گوشی‌های پرچمدارش را معرفی می‌کند. برخی از افشاگران می‌گویند که شاید سری گلکسی S23 که سال آینده از راه می‌رسند پردازنده‌ی اختصاصی مبتنی‌بر 3GAE داشته باشند، اما بعید است چنین اتفاقی بیفتد.
