ترانزیستور‌های جدید آی بی ام و سامسونگ؛

ترانزیستور‌های جدید آی بی ام و سامسونگ؛ گامی در جهت تولید تراشه‌های زیر یک نانومتر

21 آذر 1400, 17:00 | موضوع: تکنولوژی | نویسنده: SaReL
سامسونگ و آی بی ام ترانزیستورهای جدیدی با اثر میدان انتقال عمودی (VTFET) طراحی کرده‌اند که می‌تواند کلیدی برای تولید تراشه‌های زیر یک نانومتری باشد. ...